Технические характеристики
Система предназначена для измерения заряда обратного восстановления (Qrr) и времени обратного восстановления (Trr) диодов, включая диоды в составе полевых транзисторов (FET) и IGBT. Путем задания прямого тока (IF) и обратного напряжения (VR) тестируемому диоду система управляет скоростью изменения тока (di/dt) и измеряет параметры Trr и Qrr. Система использует полностью цифровое управление условиями тестирования, автоматически записывает формы сигналов напряжения и тока на тестируемом устройстве (DUT) и вычисляет значения времени обратного восстановления (Trr) и заряда обратного восстановления (Qrr) на основе анализа этих波形.
Особенности продукта:
- Подходит для тестирования как кремниевых полупроводников, так и приборов на основе полупроводников третьего поколения (GaN, GaO, SiC и др.).
- Все задаваемые условия тестирования (прямой ток IF, скорость нарастания тока di/dt, обратное напряжение VR, напряжение ограничения Vclamp и т.д.), включая напряжение, длительность импульса, скважность, частоту и количество импульсов, могут быть запрограммированы через меню.
- Возможность проверки на обрыв и короткое замыкание до и после проведения теста Trr/Qrr.
Технические параметры
|
Параметр |
Значение / Диапазон |
|
Тестовая функция |
Qrr / Trr |
|
Объект тестирования |
Диоды, IGBT, MOSFET |
|
Диапазон измерения Qrr |
10 нКл ~ 20 мкКл |
|
Диапазон измерения Trr |
1 нс / 5 нс ~ 6 мкс |
|
Диапазон прямого тока (I<sub>F</sub>) |
0 ~ 200 А |
|
Диапазон обратного напряжения (V<sub>RR</sub>) |
0 ~ 1200 В |
|
Скорость нарастания тока (di/dt) |
10 А/мкс ~ 1000 А/мкс |
|
Количество тестовых площадок |
1 |
|
Внешний интерфейс |
TTL: BCD/HEX/Single line, CAN & GPIB |
|
Габариты (Ш x В x Г), мм |
430 x 680 x 222 |
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
Серия T273X: Система тестирования заряда/времени обратного восстановления |
По запросу |
JoomShopping Download & Support