Система тестирования теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов (DVds) (Серия T32X)


Производитель: Китай (308)

0 USD

Технические характеристики

Система предназначена для измерения переходного теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов, таких как транзисторы (TR), полевые транзисторы (FET), IGBT, тиристоры (SCR), диоды (Diode) и светодиоды (LED).

Принцип работы:
В основе системы лежит принцип зависимости падения напряжения на PN-переходе полупроводникового прибора от температуры при заданном токе. Это позволяет тестировать тепловую стабильность силовых полупроводниковых приборов и характеристики теплоотвода их корпусов.

Метод тестирования:
Изменение напряжения на PN-переходе (△Vbe/△Vds/△Vgs/△Vt/△Vf/△Vce) до и после подачи заданной мощности на тестируемый прибор в течение определенного времени служит критерием оценки эффективности теплоотвода. Это изменение сравнивается с заданным нормативным значением для быстрой сортировки. Результаты измерений и графики отображаются на экране компьютера.

Характеристики продукта:

  • Функция отображения в реальном времени: Отображение кривых напряжения и тока в реальном времени или в режиме воспроизведения.
  • Функция графического отображения кривых: Отображение вольт-амперных характеристик (кривых) в реальном времени или в режиме воспроизведения.
  • Полностью цифровая обработка: Цифровая выборка сигналов с возможностью сохранения и повторного отображения.
  • Статистический анализ данных: Расширенные функции статистической обработки и анализа данных, включая гибкое построение круговых диаграмм.
  • Разрешение и частота дискретизации: Разрешение по току и напряжению до ±15 бит, частота дискретизации до 1 МГц.
  • Функция контроля контакта: Мониторинг обрывов и коротких замыканий тестируемого устройства для предотвращения ошибок из-за плохого контакта.
  • Тестирование двух кристаллов (Dual Die) (опция).
  • Дополнительные тесты:
    • Проверка на обрыв и короткое замыкание до и после подачи мощности.
    • Тестирование V<sub>TH</sub> и I<sub>GSS</sub> полевого транзистора (FET) до и после подачи мощности.
    • Автоматизированное тестирование и анализ кривой SOA (рабочей области).

Технические параметры

Параметр

T321B

T322B/D

T325B/D

T325C

T325E

Тестируемый объект

Диоды / Светодиоды / Тиристоры

Диоды / Светодиоды / Тиристоры / IGBT / Полевые транзисторы / Биполярные транзисторы (NPN/PNP)

Измеряемые параметры

△Vf△Vf / △Vt△Vt

△Vf△Vf / △Vbe△Vbe / △Vgs△Vgs / △Vt△Vt / △Vds△Vds / △Vce△Vce ...

Макс. испытательная мощность

25A / 8V, 200Вт

3A / 200V, 20A / 30V, 600Вт

7.5A / 200V, 50A / 30V, 1500Вт

7.5A / 200V, 100A / 30V, 200A / 15V, 3000Вт

Длительность теста

0.3–400 мс

Количество станций и особенности

Стандартно 1 станция (опционально +1)

1 станция

1 станция

1 станция

1 станция

Однокристальный/Двухкристальный

Модели B & C: Однокристальный
Модели D, C & E: Двухкристальный

Габариты (ШхВхГ), мм

690x433x225

690x433x225*2

Модель

Стоимость, доллары США

Серия T32X: Система тестирования теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов (DVds)

По запросу

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support