Технические характеристики
Система предназначена для измерения переходного теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов, таких как транзисторы (TR), полевые транзисторы (FET), IGBT, тиристоры (SCR), диоды (Diode) и светодиоды (LED).
Принцип работы:
В основе системы лежит принцип зависимости падения напряжения на PN-переходе полупроводникового прибора от температуры при заданном токе. Это позволяет тестировать тепловую стабильность силовых полупроводниковых приборов и характеристики теплоотвода их корпусов.
Метод тестирования:
Изменение напряжения на PN-переходе (△Vbe/△Vds/△Vgs/△Vt/△Vf/△Vce) до и после подачи заданной мощности на тестируемый прибор в течение определенного времени служит критерием оценки эффективности теплоотвода. Это изменение сравнивается с заданным нормативным значением для быстрой сортировки. Результаты измерений и графики отображаются на экране компьютера.
Характеристики продукта:
- Функция отображения в реальном времени: Отображение кривых напряжения и тока в реальном времени или в режиме воспроизведения.
- Функция графического отображения кривых: Отображение вольт-амперных характеристик (кривых) в реальном времени или в режиме воспроизведения.
- Полностью цифровая обработка: Цифровая выборка сигналов с возможностью сохранения и повторного отображения.
- Статистический анализ данных: Расширенные функции статистической обработки и анализа данных, включая гибкое построение круговых диаграмм.
- Разрешение и частота дискретизации: Разрешение по току и напряжению до ±15 бит, частота дискретизации до 1 МГц.
- Функция контроля контакта: Мониторинг обрывов и коротких замыканий тестируемого устройства для предотвращения ошибок из-за плохого контакта.
- Тестирование двух кристаллов (Dual Die) (опция).
- Дополнительные тесты:
- Проверка на обрыв и короткое замыкание до и после подачи мощности.
- Тестирование V<sub>TH</sub> и I<sub>GSS</sub> полевого транзистора (FET) до и после подачи мощности.
- Автоматизированное тестирование и анализ кривой SOA (рабочей области).
Технические параметры
|
Параметр |
T321B |
T322B/D |
T325B/D |
T325C |
T325E |
|
|
Тестируемый объект |
Диоды / Светодиоды / Тиристоры |
Диоды / Светодиоды / Тиристоры / IGBT / Полевые транзисторы / Биполярные транзисторы (NPN/PNP) |
||||
|
Измеряемые параметры |
△Vf△Vf / △Vt△Vt |
△Vf△Vf / △Vbe△Vbe / △Vgs△Vgs / △Vt△Vt / △Vds△Vds / △Vce△Vce ... |
||||
|
Макс. испытательная мощность |
25A / 8V, 200Вт |
3A / 200V, 20A / 30V, 600Вт |
7.5A / 200V, 50A / 30V, 1500Вт |
7.5A / 200V, 100A / 30V, 200A / 15V, 3000Вт |
||
|
Длительность теста |
0.3–400 мс |
|||||
|
Количество станций и особенности |
Стандартно 1 станция (опционально +1) |
1 станция |
1 станция |
1 станция |
1 станция |
|
|
Однокристальный/Двухкристальный |
Модели B & C: Однокристальный |
|||||
|
Габариты (ШхВхГ), мм |
690x433x225 |
690x433x225*2 |
||||
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
Серия T32X: Система тестирования теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов (DVds) |
По запросу |
JoomShopping Download & Support