Система для тестирования сопротивления затвора (Rg) и ёмкостей (Ciss/Coss/Crss) (Серия T342X)


Производитель: Китай (308)

0 USD

Технические характеристики

Серия T342X: Система тестирования сопротивления затвора (Rg) и емкостей (Ciss/Crss/Coss)

Система используется для тестирования полупроводниковых компонентов, таких как MOSFET/IGBT. Она подает высокочастотный переменный сигнал на затвор тестируемого устройства, измеряет напряжение и ток, проходящие через тестируемое устройство, и вычисляет емкость и сопротивление. Система соответствует стандарту MIL-STD-750E, обладает полностью цифровым блоком выборки, способна полностью записывать тестовые данные и формы сигналов, что способствует последующему анализу дефектов.

Особенности продукта:

  • Функция сканирования межэлектродной емкости: Автоматически генерирует графики сканирования Ciss, Coss, Crss (включая логарифмическое и линейное отображение).
  • Соответствует стандарту MIL-STD-750E, включает функции тестирования на фиксированной частоте и сканирования по частоте.
  • Функция постоянного смещения: Может подавать постоянное смещение на сток-исток (DS). Стандартная модель: +/-40V, T342M: +/-100V, T342H: до +/-1000V. T342M также может подавать постоянное смещение +/-20V на затвор.
  • Может использоваться для анализа продукции, обладает развитыми возможностями тестирования, отображения и обработки корреляционных кривых.
  • Компактный размер способствует обработке высокочастотных сигналов и удобству размещения оборудования на производственной линии.
  • Совместима со всеми тестовыми системами нашей компании для комбинированного тестирования.
  • Может использоваться для массового производственного тестирования FT и CP.
  • Возможно тестирование двухкристальных (Dual Die) устройств (опция).

Технические параметры

Параметр

T342A/D

T342H

T342K/M

T342P

Функция тестирования Rg/Cg

Rg, Crss, Ciss, Coss
(Сканирование кривых)

Rg, Crss, Ciss, Coss
(Сканирование кривых)

Rg, Crss, Ciss, Coss
(Сканирование кривых)

Rg, Crss, Ciss, Coss
(Сканирование кривых)

Объект тестирования Rg/Cg

MOSFET, IGBT

MOSFET, IGBT

MOSFET, IGBT

MOSFET, IGBT

Диапазон тестирования Rg/Cg

Rg: 0.1 Ом ~ 100 Ом
Cg (Ciss, Coss, Crss): 5 пФ ~ 1 мкФ

Амплитуда и частота AC

20 мВ ~ 2000 мВ pp
100 кГц ~ 1 МГц

Смещение затвора (Gate)

0 ~ ±2.5 В

-20 В ~ +20 В

Диапазон DC смещения DS

-45 В ~ +45 В

-1000 В ~ +1000 В

-100 В ~ +100 В

-2000 В ~ +2000 В

Количество тестовых площадок

A: 1 кристалл
D: 2 кристалла

1 кристалл

K: 1 кристалл
M: 2 кристалла

2 кристалла

Внешний интерфейс

TTL: BCD/HEX/Single line,
CAN & GPIB

Габариты (ШхВхГ), мм

350x125x270

 

Модель

Стоимость, доллары США

Серия T342X: Система для тестирования сопротивления затвора (Rg) и ёмкостей (Ciss/Coss/Crss)

По запросу

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support