Технические характеристики
Серия T342X: Система тестирования сопротивления затвора (Rg) и емкостей (Ciss/Crss/Coss)
Система используется для тестирования полупроводниковых компонентов, таких как MOSFET/IGBT. Она подает высокочастотный переменный сигнал на затвор тестируемого устройства, измеряет напряжение и ток, проходящие через тестируемое устройство, и вычисляет емкость и сопротивление. Система соответствует стандарту MIL-STD-750E, обладает полностью цифровым блоком выборки, способна полностью записывать тестовые данные и формы сигналов, что способствует последующему анализу дефектов.
Особенности продукта:
- Функция сканирования межэлектродной емкости: Автоматически генерирует графики сканирования Ciss, Coss, Crss (включая логарифмическое и линейное отображение).
- Соответствует стандарту MIL-STD-750E, включает функции тестирования на фиксированной частоте и сканирования по частоте.
- Функция постоянного смещения: Может подавать постоянное смещение на сток-исток (DS). Стандартная модель: +/-40V, T342M: +/-100V, T342H: до +/-1000V. T342M также может подавать постоянное смещение +/-20V на затвор.
- Может использоваться для анализа продукции, обладает развитыми возможностями тестирования, отображения и обработки корреляционных кривых.
- Компактный размер способствует обработке высокочастотных сигналов и удобству размещения оборудования на производственной линии.
- Совместима со всеми тестовыми системами нашей компании для комбинированного тестирования.
- Может использоваться для массового производственного тестирования FT и CP.
- Возможно тестирование двухкристальных (Dual Die) устройств (опция).
Технические параметры
|
Параметр |
T342A/D |
T342H |
T342K/M |
T342P |
|
Функция тестирования Rg/Cg |
Rg, Crss, Ciss, Coss |
Rg, Crss, Ciss, Coss |
Rg, Crss, Ciss, Coss |
Rg, Crss, Ciss, Coss |
|
Объект тестирования Rg/Cg |
MOSFET, IGBT |
MOSFET, IGBT |
MOSFET, IGBT |
MOSFET, IGBT |
|
Диапазон тестирования Rg/Cg |
Rg: 0.1 Ом ~ 100 Ом |
|||
|
Амплитуда и частота AC |
20 мВ ~ 2000 мВ pp |
|||
|
Смещение затвора (Gate) |
0 ~ ±2.5 В |
-20 В ~ +20 В |
||
|
Диапазон DC смещения DS |
-45 В ~ +45 В |
-1000 В ~ +1000 В |
-100 В ~ +100 В |
-2000 В ~ +2000 В |
|
Количество тестовых площадок |
A: 1 кристалл |
1 кристалл |
K: 1 кристалл |
2 кристалла |
|
Внешний интерфейс |
TTL: BCD/HEX/Single line, |
|||
|
Габариты (ШхВхГ), мм |
350x125x270 |
|||
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
Серия T342X: Система для тестирования сопротивления затвора (Rg) и ёмкостей (Ciss/Coss/Crss) |
По запросу |
JoomShopping Download & Support