Устройство для очистки полупроводниковых подложек SAPS путем регулирования расстояния между устройством для очистки ультразвуком и пластиной с изменением фазы волны для достижения равномерного распределения по поверхности пластины с целью достижения наиболее оптимального эффекта очистки.
Технические характеристики
- Поддерживает все устройства Ultra C SAPS II;
- Может быть оснащен до 12 камер, производительностью 375 Вт/ч;
- Встроенный модуль подачи химической жидкости;
- Может быть оснащен технологией высокотемпературной сушки IPA;
- Размер оборудования небольшой: 2,35 х 6,7 х 2,85 м.
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
Ultra C SAPS V |
По запросу |
JoomShopping Download & Support