Машина контактного воздействия LSCE-800

Машина контактного экспонирования LSCE-800 означает, что пластина маски находится в прямом контакте со слоем фоторезиста подложки. Экспонированный рисунок имеет высокую точность разрешения с рисунком на пластине маски. Оборудование простое, а ширина линии может достигать 800 нм; его можно использовать вместе. Различные типы позитивных и негативных фоторезистов, подходят для УФ-облучения или глубокого УФ-облучения широкого спектра материалов, от подложек специальных размеров до 4 размеров. Его можно широко использовать в производстве полупроводников, оптоэлектронике, плоских панелях, радиочастотных микроволнах, дифракционной оптике, микроэлектромеханических системах, вогнуто-выпуклых или перевернутых устройствах и других приложениях, требующих тонкой печати и точного выравнивания.

Технические характеристики

Назначение: Контактное экспонирование означает, что пластина маски находится в прямом контакте со слоем фоторезиста подложки. Экспонированная графика и графика на маске имеют высокую точность разрешения и простое оборудование;

1. Производство полупроводников;
2. Оптоэлектроника, плоские панели;
3. Радиочастотная СВЧ, дифракционная оптика;
4. Микроэлектромеханические системы;
5. Вогнуто-выпуклая или флип-оптика, чиповое оборудование и т.д.

Основные характеристики: ширина линии до 800 нм, возможность использования нескольких типов позитивных и негативных фоторезистов;

Применимый размер пластины: размер образца не может превышать 6 дюймов.

1. Точное разрешение
2. Более широкий диапазон выбора длины волны УФ-излучения
3. Поддерживает постоянную интенсивность света или режим постоянной мощности
4. Широко используется в полупроводниках, микроэлектронике, биологических устройствах и нанотехнологиях.

Технические параметры