Силицид вольфрама (WSi2)

Силицид вольфрама (WSi2) используется в микроэлектронике в качестве материала для защиты от электростатических разрядов, шунтирования поликремниевых проводников, антикоррозийного покрытия и покрытия резистивных проводов.
Силицид вольфрама применяется в микроэлектронике как контактный материал с удельным сопротивлением 60–80 мкОм·см. Он формируется при температуре 1000 °C. Обычно его используют в качестве шунта для поликремниевых линий — это повышает их проводимость и скорость передачи сигнала.
Слой силицида вольфрама можно получить методом химического осаждения из газовой фазы (например, парофазного осаждения). В качестве исходных газов используют моносилан или дихлорсилан и гексафторид вольфрама. Осаждённая плёнка имеет нестехиометрический состав и требует отжига для преобразования в более проводящую стехиометрическую форму.
Силицид вольфрама может заменить ранее использовавшуюся вольфрамовую плёнку. Также силицид вольфрама применяют в качестве барьерного слоя между кремнием и другими металлами.
Силицид вольфрама имеет большое значение в микроэлектромеханических системах, где он в основном используется в виде тонкой плёнки для изготовления микросхем. Для этой цели плёнку силицида вольфрама можно травлить плазмой, например, с использованием силицида.