Трехпереходные GaAs солнечные элементы CIC (144 мм × 65.5 мм)


Производитель: Китай

0 USD

Размер: 144 мм × 65.5 мм

Конструктивные и механические данные (CIC 144×65.5):

Параметр

Значение

Единица

Базовый материал

GaInP/GaAs/Ge на Ge подложке

Просветляющее покрытие

TiO₂/Al₂O₃

Размеры (Д × Ш)

(144.75 ± 0.1) × (66.65 ± 0.1)

мм²

Площадь элемента

77.26

см²

Вес/площадь

116 ± 15

мг/см²

Толщина CIC

340 ± 25

мкм

Тип защитного стекла

KFB 120

Толщина защитного стекла

120 ± 20

мкм

Межсоединения (3x спереди / 1x диод)

Ковар с серебряным покрытием

Толщина межсоединений

25

мкм

Размер межсоединения

(7.5 ± 0.1) × (6.3 ± 0.1)

мм²

Защита шунтированием

Внешний Si диод


Электрические данные (CIC 144×65.5):

Параметр

Значение

Единица

Среднее напряжение холостого хода (Voc)

2730

мВ

Средний ток короткого замыкания (Isc)

1315

мА

Напряжение макс. мощности (Vmp)

2400

мВ

Ток макс. мощности (Imp)

1280

мА

Средняя эффективность (1353 Вт/м²)

29.5

%


Радиационная деградация (CIC 144×65.5):

Параметр

1E14

5E14

1E15

Im/Im0

0.99

0.97

0.93

Vm/Vm0

0.96

0.93

0.92

Pm/Pm0

0.95

0.90

0.85


Защита от затенения (CIC 144×65.5):

Параметр

Значение

Внешний кремниевый защитный диод

Прямое напряжение (1.5 А)

≤ 1 В

Обратный ток (4 В)

≤ 200 мкА

Рабочая температура

от -150 до 250 °C


Температурные коэффициенты (CIC 144×65.5):

Параметр

BOL

5E14

1E15

Единица

Плотность тока короткого замыкания (Jsc)

11.0

10.0

13.0

мкА/см²/°C

Напряжение холостого хода (Voc)

-5.9

-6.1

-6.3

мВ/°C

Плотность тока макс. мощности (Jmp)

9.0

9.5

15.0

мкА/см²/°C

Напряжение макс. мощности (Vmp)

-6.0

-6.2

-6.5

мВ/°C


Предельные значения (CIC 144×65.5):

Параметр

Значение

Поглощательная способность

≤ 0.92

Испытание на отрыв (при 45°)

≥ 0.83 Н/мм²

Статус

Квалифицирован

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support