Куски (фрагменты) силицида вольфрама

Силицид вольфрама (WSi2​) используется в микроэлектронике в качестве материала для защиты от электрических разрядов, шунтирования поликремниевых проводов, антиокислительного покрытия и покрытия резистивных проводов.
Силицид вольфрама применяется в микроэлектронике как контактный материал с удельным сопротивлением 60–80 мкОм·см. Он образуется при температуре 1000 °C. Обычно его используют в качестве шунта для поликремниевых линий — это позволяет повысить их проводимость и скорость передачи сигнала.
Слой силицида вольфрама можно получить методом химического осаждения из газовой фазы (в т. ч. методом парофазного осаждения). В качестве исходных газов используют моносилан или дихлорсилан и гексафторид вольфрама. Осаждённая плёнка является нестехиометрической и требует отжига для преобразования в более проводящую стехиометрическую форму.
Силицид вольфрама может заменить ранее использовавшуюся вольфрамовую плёнку. Также силицид вольфрама применяют в качестве барьерного слоя между кремнием и другими металлами.
Силицид вольфрама имеет большую ценность в микроэлектромеханических системах — в них он в основном используется в виде тонкой плёнки для производства микросхем. Для этой цели плёнку силицида вольфрама можно травлить плазмой, например с использованием силицида.