Фосфид индия (InP) играет ключевую роль в полупроводниковой промышленности, особенно в разработке мощных высокочастотных оптоэлектронных устройств, которые необходимы для приложений следующего поколения не только в сфере телекоммуникаций, центров обработки данных и фотонных систем, но и в автомобильных технологиях и бытовой электронике. Несмотря на все преимущества, широкое распространение устройств на основе InP сдерживается высокой стоимостью и ограниченной производительностью технологических процессов. Чтобы обеспечить конкурентоспособность устройств на основе InP на быстро развивающемся рынке полупроводников, необходимо снизить стоимость подложек и повысить производительность. Подложки InP-on-GaAs — перспективное решение при условии, что они будут соответствовать требованиям к эффективности и надежности устройств. В этом исследовании мы изучаем потенциал 6-дюймовых подложек InP-on-GaAs для передовых оптоэлектронных приложений. Мы демонстрируем процесс эпитаксиального роста, изготовления и определения характеристик фотонного преобразователя энергии на основе In0,53Ga0,47As, а именно фотоэлектрического элемента, предназначенного для преобразования монохроматической энергии с длиной волны 1,55 мкм. Характеристики соответствуют эталонным устройствам, изготовленным на обычной пластине InP. Наши результаты показывают, что подложки InP на основе GaAs могут обеспечивать высокие показатели качества материала и однородности пластины, что открывает путь к разработке экономичных оптоэлектронных устройств на основе InP.
JoomShopping Download & Support