Область применения: используется для монокристаллических подложек из карбида кремния.
Описание продукта
- Оборудование использует метод TSSG для выращивания кристаллов, что позволяет получать кристаллы более высокого качества;
- Печь оборудована системой контроля диаметра кристаллов CCD и системой контроля толщины для мониторинга состояния роста кристаллов в режиме реального времени для повышения эффективности роста кристаллов;
- С помощью процесса расширения диаметра можно добиться выращивания монокристаллов карбида кремния большого размера и получить монокристалл карбида кремния P-типа с высокой концентрацией носителей.
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
SCMP/LP |
По запросу |
JoomShopping Download & Support