Классификация:
Полупроводниковое технологическое оборудование второго поколения
Технические характеристики
- В основном используется для выращивания монокристаллов арсенида галлия, фосфида индия и других соединений толщиной 4-8 дюймов
- Оборудование состоит из стойки, механизма поддержки ампул, нагревателя и системы управления
- Может быть реализован точный контроль перемещения и вращения ампул
- Промышленная компьютерная система управления (системный интерфейс WINDOWS, простое и лаконичное управление)
- Ключевые детали импортируются для обеспечения высокой надежности оборудования
- Высокая точность контроля температуры и хорошая стабильность контроля температуры в температурной зоне
- Имеет различные функции безопасности, такие как аварийный сигнал об отключении питания, аварийный сигнал о перегреве, аварийный сигнал о понижении температуры и аварийный сигнал о чрезмерном перегреве
- Функции вращения, такие как трапециевидная волна, треугольная волна и синусоидальная волна с регулируемой скоростью
- Высококачественный монокристалл
Технические параметры
|
Тип пластины: 4/6 дюймов |
Диапазон рабочих температур: 1100 ℃ |
|
Максимальная температура нагрева: 1250 ℃ |
Точность контроля температуры: 土0.5 ℃ |
|
Количество секций контроля температуры: 4 секции |
Давление в камере печи: 4 МПа |
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
Оборудование для опускания тиглей |
По запросу |
JoomShopping Download & Support